項目描述

蘇州納維科技有限公司創立于2007年,以中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所為技術依托,立足于設備的自主研發,專注于從事高質量、大尺寸氮化物材料的生長與產品開發,為產業界和研發機構提供各類氮化鎵材料,目前公司擁有核心技術專利三十余項,是中國首家氮化鎵襯底晶片供應商。

目前公司針對企業、高校和研究所的不同用戶,主要提供如下產品:一、15~50微米厚度的2英寸GaN厚膜襯底(GaN/sapphire),位錯密度為107/cm2量級,分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型;二、2英寸氮化鎵自支撐襯底(free-standing GaN substrate),厚度約0.3mm,位錯腐蝕坑密度為106/cm2量級,分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型;三、小尺寸方形(邊長5mm~20mm)氮化鎵襯底,位錯腐蝕坑密度為106/cm2量級,分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型,單面或者雙面拋光;四、小尺寸非極性面氮化鎵襯底,a面或者m面;五、高結晶度氮化鎵粉體材料;六、氮化鋁襯底。

蘇州納維將立足于材料生長技術和設備的持續創新,努力在新一代顯示、節能照明、微波通訊、電力電子、醫學成像等產業領域為下游客戶帶來核心價值。

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